今日上午，中芯国际联合首席执行官赵海军在二季度电话会议上表示，“我们的FinFET工艺已经达产，每月1.5万片，客户多样化，不同的产品平台都导入了。（这部分）产能处于紧俏状态，客户不断进来。”FX112财经网了解到，前不久中芯国际吴金刚博士宣布离职。吴金刚博士担任中芯国际研发副总裁，是公司五大核心人才之一，参与了FinFET工艺研发。此前吴金刚博士离职时，中芯国际发表公告，表示离职后，吴金刚博士不再担任公司任何职务。目前公司的技术研发工作均正常进行，吴金刚博士的离职未对公司整体研发实力产生重大不利影响。目前，台积电、三星在5nm/7nm工艺段都采用FinFET结构，而在下一世代3nm工艺的晶体管结构选择上，两者出现分歧。三星选择采用GAA结构，台积电则出于稳健考虑，选择在第一代3nm工艺继续沿用FinFET技术。近日，三星代工厂流片了基于环栅(GAA)晶体管架构的3nm芯片，通过使用纳米片（Nanosheet）制造出了MBCFET（多桥通道场效应管），可显著增强晶体管性能，主要取代FinFET晶体管技术。三星执行副总裁兼代工销售和营销主管CharlieBae表示：“基于GAA结构的下一代工艺节点（3nm）将使三星能够率先打开一个新的智能互联世界，同时加强我们的技术领先地位”。分析称，2nm或将是FinFET结构全面过渡到GAA结构的技术节点。在经历了PlanarFET、FinFET后，晶体管结构将整体过渡到GAAFET结构上。根据国际器件和系统路线图（IRDS）的规划，在2021-2022年以后，FinFET结构将逐步被GAA结构所取代。